Abstract
<jats:p>У роботі досліджено вплив концентрації легування й товщини шарів на енергетичну ефективність фотоперетворювачів на основі гетероструктури ZnO/porous‑Si/Si. За допомогою моделювання в середовищі PC1D проаналізовано зміну фотогенерації, рекомбінаційних процесів і параметрів ВАХ залежно від варіації товщини шарів ZnO й поруватого кремнію, а також рівня легування ZnO. Установлено, що оптимальні значення товщини ZnO (10 мкм) і porous‑Si (1 мкм), а також концентрація легування ZnO на рівні 1019 см-3 забезпечують максимальну ефективність перетворення 22,6 %. Показано, що надмірне легування призводить до зростання рекомбінаційних втрат і зниження продуктивності. Отримані результати можуть бути використані для оптимізації конструкції високоефективних фотоперетворювачів на основі кремнієвих гетероструктур.</jats:p>